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厂商型号

FQB34N20TM 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

内部编号

3-FQB34N20TM

#1

数量:2576
1+¥26.197
25+¥24.3478
100+¥23.3461
500+¥22.4215
1000+¥21.2658
最小起订金额:¥₩600
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#2

数量:2576
1+¥26.197
25+¥24.3478
100+¥23.3461
500+¥22.4215
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订购说明

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原厂背书质量,全面技术支持

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FQB34N20TM产品详细规格

规格书 FQB34N20TM datasheet 规格书
FQB34N20TM datasheet 规格书
Status Obsolete
包装 3D2PAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 200 V
最大连续漏极电流 31 A
RDS -于 75@10V mOhm
最大门源电压 ±30 V
典型导通延迟时间 40 ns
典型上升时间 280 ns
典型关闭延迟时间 125 ns
典型下降时间 115 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel

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